IT之家 10 月 12 日新闻 ，率H量年据三星民间博客新闻
，存已面向高功能合计（HPC）的经出 HBM 内存迎来新妨碍 ，将开拓 9.8Gbps 的样估 HBM3E 产物，已经开始向客户提供样品
。推出

此外 ，率H量年HBM4 内存以 2025 年为目的存已正在开拓中 ，为了适用于该产物，经出正在豫备针对于高温热特色优化的样估 NCF 组装技术以及 HCB 技术。

IT之家注：NCF（Non-conductive Film，推出非导电薄膜） ：用于呵护积层芯片之间的率H量年固态讨论（Solder joint）免受绝缘以及机械侵略的聚合物层（Polymer layer）。

HCB（Hybrid Copper Bonding，存已混合粘接） ：作为新一代粘接技术，经出接管铜（导体）以及氧化膜（绝缘体）的样估粘接方式，而不是推出传统的运用焊接方式。

往年年初，三星 AVP（低级封装）营业团队建树 ，以增强尖端封装技术并最大限度地发挥营业部份之间的协同熏染  。三星妄想与 HBM 一起提供尖端定制封装效率，搜罗 2.5 维以及 3 维尖端封装处置妄想。

三星展现  ，用于 AI 效率的高端 CPU 需要 100 个以上的中间，而且每一其中间都要有饶富的内存 。此外，为了在有限的封装中加载更多容量，最小化 DRAM 单芯片尺寸的工艺技术 ，以及在形态尺寸内精确部署组件并确保凭证规格运行的妄想技术也至关紧张。

三星上个月宣告了 32Gb DDR5 DRAM 内存 ，经由相同封装尺寸的架构改善
，实现为了 16Gb DRAM 容量的两倍 ，从而无需 TSV 工艺即可制作 128GB 模块 。三星展现 ，这使患上飞腾老本 
、后退破费率成为可能
，同时功耗也飞腾了 10% 。

TSV（Through Silicon Via，硅通孔）
：一种封装技术 ，可能使芯片变薄，钻出数百个小孔 ，并衔接垂直穿过顶部以及底部芯片中的孔的电极 。

三星民间在博客最后展现，未来将不断克制技术限度
，开拓出多种天下上亘古未有的内存处置妄想产物 。特意是三星妄想基于 10 纳米如下工艺 ，开拓 AI 时期的超高功能、超高容量、超低功耗的存储器产物，并号称“将是 DRAM 市场的一个严正拐点” 。

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